抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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基本的には,酸化物欠陥での電荷トラップはMOSトランジスタの信頼性に影響を及ぼす。特に,電荷トラップは不規則電信雑音および1/f雑音に関与して長い間作製されてきた。最近,電荷トラップはバイアス温度不安定性にかなり貢献するものとして確認された。従来の欠陥モデルは,欠陥は二つの状態(中性と帯電)が有ると仮定している。この二つの状態の間の遷移速度をある種の拡張Shockley-Read-Hall理論を用いて計算する。この理論は,電荷トラップイベントや電荷放出イベントに繋がる欠陥サイトで生じる構成的変化を無視している。この変化を捉えるために多光子モデルが数十年間使用されてきたが,この手段が信頼性モデリングという主流にはまだ見られなかった。更に,最近の実験結果により,欠陥には従来のモデルで仮定した二つの状態よりも多く状態が存在することが実証された。多光子電荷移送機構と共にこれらの付加的状態は複雑な欠陥力学の理解には本質的である。ここで示す論評では,多状態欠陥に特に重点を置いて確率的欠陥遷移のモデリング方法の基本原理を総説する。Shockley-Read-Hall理論の制限を検討した後に,すでに非常に良く記述されている多光子理論の比較的簡単な半古典的近似を紹介する。最後に,最新の実験データを非常に正確に記述する多光子理論を用いて多状態欠陥に対する遷移速度を推定する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.