文献

J-GLOBAL ID：201202263079233747   整理番号：12A0025863

酸化物中の確率的電荷トラップ:不規則電信雑音からバイアス温度不安定性まで

Stochastic charge trapping in oxides: From random telegraph noise to bias temperature instabilities

著者 (1件)： GRASSER Tibor (Inst. for Microelectronics, TU Wien, Gusshausstrasse 27-29, 1040 Wien, AUT)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 1  ページ： 39-70  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本的には,酸化物欠陥での電荷トラップはMOSトランジスタの信頼性に影響を及ぼす。特に,電荷トラップは不規則電信雑音および1/f雑音に関与して長い間作製されてきた。最近,電荷トラップはバイアス温度不安定性にかなり貢献するものとして確認された。従来の欠陥モデルは,欠陥は二つの状態(中性と帯電)が有ると仮定している。この二つの状態の間の遷移速度をある種の拡張Shockley-Read-Hall理論を用いて計算する。この理論は,電荷トラップイベントや電荷放出イベントに繋がる欠陥サイトで生じる構成的変化を無視している。この変化を捉えるために多光子モデルが数十年間使用されてきたが,この手段が信頼性モデリングという主流にはまだ見られなかった。更に,最近の実験結果により,欠陥には従来のモデルで仮定した二つの状態よりも多く状態が存在することが実証された。多光子電荷移送機構と共にこれらの付加的状態は複雑な欠陥力学の理解には本質的である。ここで示す論評では,多状態欠陥に特に重点を置いて確率的欠陥遷移のモデリング方法の基本原理を総説する。Shockley-Read-Hall理論の制限を検討した後に,すでに非常に良く記述されている多光子理論の比較的簡単な半古典的近似を紹介する。最後に,最新の実験データを非常に正確に記述する多光子理論を用いて多状態欠陥に対する遷移速度を推定する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *キャリア捕獲 ,  *電荷 ,  *不規則雑音 ,  *MOSFET ,  電波雑音 ,  *信頼性 ,  1/f雑音 ,  *熱安定性 ,  モデリング ,  状態遷移図 ,  指数分布
準シソーラス用語： 電荷トラッピング ,  NBTI

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  確率 ,  電荷トラップ ,  電信雑音 ,  バイアス温度不安定性