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J-GLOBAL ID:201202263722354964   整理番号:12A0962541

PLD法によるアモルファスTiSx薄膜電極の作製と全固体型リチウム二次電池への応用

Preparation of amorphous TiSx thin film electrodes by the PLD method and their application to all-solid-state lithium secondary batteries
著者 (6件):
資料名:
巻: 47  号: 18  ページ: 6601-6606  発行年: 2012年09月 
JST資料番号: B0722A  ISSN: 0022-2461  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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硫化チタンの薄膜電極を,KrFエキシマレーザを用いたパルスレーザ堆積(PLD)法によって作製した。種々の組成の薄膜を,Arガス圧,レーザ出力,ターゲットと基板の間隔などのいくつかの堆積条件のもとで作製した。Arガス圧が0.01Pa,パルスエネルギが200mJ/pulse,ターゲットと基板の間隔が5cmの場合,作製された硫化チタン薄膜の厚さは約400nmだった。室温で作製した膜は,XRDパタンにピークを示さず,高分解能透過電子顕微鏡像に周期的格子縞も示さず,アモルファスであることを示唆していた。ペレット化したLi2S-P2S5ガラス-セラミック電解質の上に形成した,TiS4.0薄膜電極を用いた全固体型電池は,可逆容量543mAhg-1を示し,それはTiS1.7膜を用いた電池のそれより高かった。前者の固体電池は,室温で20サイクルにわたってより高い容量を維持した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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二次電池  ,  その他の無機化合物の薄膜 

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