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J-GLOBAL ID：201202263949920842   整理番号：12A0853565

パルス電流下のCu/低誘電率相互接続のJoule加熱に対する熱過渡応答とそのモデリング

Thermal Transient Response and Its Modeling for Joule Heating in Cu/Low-κ Interconnects Under Pulsed Current

著者 (3件)： YOKOGAWA Shinji (Renesas Electronics Corp., Sagamihara, JPN) ,  TSUCHIYA Hideaki (Renesas Electronics Corp., Sagamihara, JPN) ,  SHIMIZU Tatsuo (Renesas Electronics Corp., Sagamihara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 5,Issue 2  ページ： 05EC06.1-05EC06.4  発行年： 2012年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu/低誘電率相互接続のJoule加熱が原因となった熱過渡応答とそのモデリングを提案した。このモデルに形状パラメータを導入すると,従来型の指数関数モデルに比べて,観測された熱応答がより正確に表された。この過渡熱応答を基に多層のCu/低誘電率相互接続の有効熱時定数を実験により調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *銅 ,  誘電体薄膜 ,  相互接続 ,  *抵抗加熱 ,  過渡応答 ,  熱応答 ,  時定数
準シソーラス用語： *低誘電率薄膜 ,  Joule加熱 ,  熱時定数

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (23件)：

• 1) S. Im, N. Srivastava, K. Banerjee, and K. E. Goodson: IEEE Trans. Electron Devices 52 (2005) 2710.
• 2) J. W. McPherson: Proc. Design Automation Conf., 2006, p.176.
• 3) C.-K. Hu, D. Canaperi, S. T. Chen, L. M. Gignac, B. Herbst, S. Kaldor, M.Krishnan, E. Liniger, D. L. Rath, D. Restaino, R. Rosenberg, J. Rubino, S.-C. Seo, A. Simon, S. Smith, and W.-T Tseng: Proc. IEEE Int. Reliability Physics Symp., 2004, p.222.
• 4) S. Yokogawa and H. Tsuchiya: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 1717.
• 5) C.-K. Hu, L. Gignac, B. Baker, E. Lmiger, R. Yu, and P. Flaitz: Proc. IEEE Int. Interconnect Technology Conf., 2007, p.93.

タイトルに関連する用語 (7件)： パルス電流 ,  Cu ,  低誘電率 ,  相互接続 ,  Joule加熱 ,  過渡応答 ,  モデリング