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J-GLOBAL ID：201202264470916987   整理番号：12A0569680

Ta-Nb合金に関する陽極膜の成長及び電場結晶化

Growth and field crystallization of anodic films on Ta-Nb alloys

著者 (8件)： KOMIYAMA S. (Hokkaido Univ., Div. of Materials Chemistry, Fac. of Engineering, 060-8628, Sapporo, Hokkaido, JPN) ,  TSUJI E. (Hokkaido Univ., Div. of Materials Chemistry, Fac. of Engineering, 060-8628, Sapporo, Hokkaido, JPN) ,  AOKI Y. (Hokkaido Univ., Div. of Materials Chemistry, Fac. of Engineering, 060-8628, Sapporo, Hokkaido, JPN) ,  HABAZAKI H. (Hokkaido Univ., Div. of Materials Chemistry, Fac. of Engineering, 060-8628, Sapporo, Hokkaido, JPN) ,  SANTAMARIA M. (Universita degli Studi di Palermo, Dipartimento di Ingegneria Chimica dei Processi e dei Materiali, Viale delle ...) ,  QUARTO F. (Universita degli Studi di Palermo, Dipartimento di Ingegneria Chimica dei Processi e dei Materiali, Viale delle ...) ,  SKELDON P. (The Univ. of Manchester, Corrosion and Protection Centre, School of Materials, M13 9PL, Manchester, GBR) ,  THOMPSON G. E. (The Univ. of Manchester, Corrosion and Protection Centre, School of Materials, M13 9PL, Manchester, GBR)
資料名： Journal of Solid State Electrochemistry  (Journal of Solid State Electrochemistry)
巻： 16  号： 4  ページ： 1595-1604  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W1021A  ISSN： 1432-8488  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta-Nb固溶合金の非晶質陽極膜の成長挙動は0.1moldm^-3の五ほう酸アンモニウム電解質において50Am^-2の定電流密度で広い組成範囲に亘って調査されている。陽極膜は薄い外側のNb₂O₅層及びTa₂O₅とNb₂O₅のユニットより成る内側の層を構成している2層より成る。外側のNb₂O₅層は高い電場の下,膜成長中,Ta⁵⁺イオンと比べて,Nb⁵⁺イオンの迅速な外側への移行の結果として形成される。それらの相対的移行速度は合金組成と無関係である。膜の形成率,密度,及び静電容量は合金組成に対して線形関係を示す。定電圧で陽極酸化している間,電場結晶化に対する陽極膜の感受性は合金のニオブ含有量の増加と共に増す。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *タンタル合金 ,  *酸化膜 ,  *薄膜成長 ,  *ニオブ合金 ,  *結晶化 ,  *電場効果 ,  イオン輸送 ,  成長 ,  原子発光分析 ,  Rutherford散乱分光法 ,  静電容量 ,  非晶質 ,  陽極酸化皮膜
準シソーラス用語： *陽極膜 ,  GDOES【分光分析】

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ta ,  Nb合金 ,  陽極膜 ,  成長 ,  電場 ,  結晶化