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J-GLOBAL ID：201202264547983607   整理番号：12A0964857

陽子照射した水素化アモルファスシリコン半導体に関する電気伝導率

Electric Conductivity of Proton-Irradiated Hydrogenated Amorphous Silicon Semiconductors

著者 (3件)： SATO S. (JAEA) ,  OHSHIMA T. (JAEA) ,  IMAIZUMI M. (JAXA)
資料名： 日本原子力研究開発機構JAEA-Review(Web)
号： 2011-043  ページ： 1-7 (WEB ONLY)  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： U0296A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 照射環境での利用を想定した半導体材料の開発に関する研究の一環として,本研究では,水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)半導体について,電気伝導率に及ぼす陽子照射(10MeV)の効果を,in situ実験で調べた。試料には,無添加,n型およびp型のa-Si:H薄膜を用いた。その結果,1)程度の差はあるが,全試料で,フルエンスの増大に伴う電気伝導率の増大,ならびに,さらなる増大に伴なう減少を観測したこと,2)この挙動は無添加試料で顕著であり,劇的な増大および減少を示すこと,を見出した。また,3MeV陽子照射がSeebeck係数に及ぼす影響についても論じた。

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *半導体 ,  水素化 ,  *陽子照射 ,  *電気伝導率 ,  耐放射線性 ,  半導体薄膜 ,  プラズマCVD ,  基板 ,  ガラス ,  1-10MeV ,  実験 ,  輸送係数 ,  放射線フルエンス ,  添加物効果
準シソーラス用語： in situ実験 ,  Seebeck係数

分類 (2件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (3件)：

• 1) P. J. Sellin et. al., Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 557 (2006) 479-489.
• 2) S. Sato et al., Proc. 35th IEEE PVSC (2010) 2620-2624.
• 3) S. Sato et al., J. Non-Cryst. Sol., 356 (2010) 2114-2119.

タイトルに関連する用語 (3件)： 陽子照射 ,  水素化アモルファスシリコン ,  電気伝導率