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J-GLOBAL ID：201202265684239610   整理番号：12A1367532

シリコン(112)ウエハのレーザ支援化学研磨

Laser-Assisted Chemical Polishing of Silicon (112) Wafers

著者 (5件)： DANDEKAR Niru (Varioscale, Inc., 1782 La Costa Meadows Drive, Suite 103, 92078, San Marcos, CA, USA) ,  CHIVAS Robert (Varioscale, Inc., 1782 La Costa Meadows Drive, Suite 103, 92078, San Marcos, CA, USA) ,  SILVERMAN Scott (Varioscale, Inc., 1782 La Costa Meadows Drive, Suite 103, 92078, San Marcos, CA, USA) ,  KOU Xiaolu (UCLA-HSSEAS School of Engineering and Applied Sci., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 410 Westwood Plaza, 3111 ...) ,  GOORSKY Mark (UCLA-HSSEAS School of Engineering and Applied Sci., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 410 Westwood Plaza, 3111 ...)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 10  ページ： 2790-2794  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ支援化学エッチング(PLACE)は,シリコン(112)ウエハにおける,テルル化カドミウム水銀の分子ビームエピタクシー(MBE)成長のために,先進的で斬新な基板作製方法をもたらした。この方法では,レーザフルエンスを制御することによって,化学エッチプロセスを最終研磨工程にまで磨き上げた。PLACEは,化学機械研磨標準オーダの表面粗さをもたらす。そして,表面および表面下の損傷を引き起こさないことを,488nm RAMANおよび高分解能X線回折を用いて証明した。損傷を引き起こすのとは反対に,PLACEの利用は,表面を化学的に変質させるばかりでなく,ミクロンの深さに到達する再結晶化を通じて表面下の損傷を除去することも,実験によって明らかにした。このプロセスは,研磨とMBE蒸着の間で真空が破られないように,考え得る限りの方法でツール間を移動できる分子真空容器内で行われる。PLACEは,パルスレーザによって開始および規制される,熱分解気相反応に頼る乾式プロセスであるため,超高純度と精密な寸法制御を達成することが可能である。本プロセスは,レーザフルエンスと光学の関数であるため,6インチおよびそれを超えるウエハサイズまでの拡張が,今にも起こりそうに思われる。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： テルル化カドミウム水銀 ,  *MBE成長 ,  薄膜成長 ,  エッチング ,  *化学研磨 ,  *ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  表面処理 ,  第12族元素化合物
準シソーラス用語： HgCdTe

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  有機第11族・有機第12族元素化合物  (CF09052N) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ウエハ ,  レーザ ,  支援 ,  化学研磨