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J-GLOBAL ID：201202265882989993   整理番号：12A0821749

ジヘキシル置換ジベンゾ[d,d′]チエノ[3,2-b;4,5-b′]ジチオフェンを用いた高性能有機電界効果トランジスタ

High-performance organic field-effect transistors based on dihexyl-substituted dibenzo[d,d′]thieno[3,2-b;4,5-b′]dithiophene

著者 (7件)： MIYATA Yasuo (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  YOSHIKAWA Eiji (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  MINARI Takeo (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MINARI Takeo (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  YAMAGUCHI Shigehiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 16  ページ： 7715-7717  発行年： 2012年04月28日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能有機電界効果トランジスタのP型半導体としてジヘキシル基置換ジベンゾ[d,d′]チエノ[3,2-b;4,5-b]ジチオフェン(C6-DBTDT)を合成した。分子内三重環化を含む反応経路に依った。接合界面にアクセプタ材料を挿入すると閾値電圧とヒステリシスが低下した。真空蒸着膜の移動度は常温蒸着で2.5cm²V^-1s^-1,80°C蒸着で3.1cm²V^-1s^-1が得られた。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *P型半導体 ,  *硫黄複素環化合物 ,  環化反応 ,  接合部 ,  界面 ,  アクセプタ ,  電圧 ,  ヒステリシス ,  *蒸着膜 ,  移動度
準シソーラス用語： *チオフェン類 ,  分子内環化 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  閾値電圧

分類 (2件)： チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 3,8-ジヘキシルチエノ[3,2-b:4,5-b′]ビス[1]ベンゾチオフェン

タイトルに関連する用語 (4件)： ジヘキシル ,  置換 ,  高性能 ,  有機電界効果トランジスタ