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J-GLOBAL ID：201202266318972033   整理番号：12A0993919

スケーラブルなナノスフィアリソグラフィと選択領域成長を用いたナノワイヤアレイにおける最適化光利用に向けて

Toward Optimized Light Utilization in Nanowire Arrays Using Scalable Nanosphere Lithography and Selected Area Growth

著者 (9件)： MADARIA Anuj R. (Univ. Southern California, California, USA) ,  YAO Maoqing (Univ. Southern California, California, USA) ,  CHI ChunYung (Univ. Southern California, California, USA) ,  HUANG Ningfeng (Univ. Southern California, California, USA) ,  LIN Chenxi (Univ. Southern California, California, USA) ,  LI Ruijuan (Univ. Southern California, California, USA) ,  POVINELLI Michelle L. (Univ. Southern California, California, USA) ,  DAPKUS P. Daniel (Univ. Southern California, California, USA) ,  ZHOU Chongwu (Univ. Southern California, California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 6  ページ： 2839-2845  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直に配列した,無触媒半導体ナノワイヤは光電池応用に大きな有用性を有し,そこではスケーラブルな合成と最適化した光吸収が同時に決定的である。ここでは,ウェハスケールのパタニングをポリスチレンナノスフィアをマスクとするナノスフィアリソグラフィ(NSL)と,そのパタン上への選択領域有機金属化学蒸着被覆(SA-MOCVD)を用いて,垂直に配列したヒ化ガリウムのナノワイヤアレイのスケーラブルな合成を始めて行った。NSLによるパタン欠陥を伴うナノワイヤアレイは,しかしながら光吸収及び反射という点では,電子ビームリソグラフィ(EBL)によりパタニングした高い秩序性を持つナノワイヤアレイと同様の構造形態を示し,ナノワイヤの長さが130nmほどのとき反射は太陽光スペクトルの可視域で10%以下であり,パタンの欠陥は影響しない。このような手法は太陽電池を含み,安価で生産性の高い光電子デバイスの製造に応用できる。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *MOCVD ,  *リソグラフィー ,  ナノ構造 ,  細線 ,  電子ビームリソグラフィー ,  光吸収 ,  *反射 ,  スペクトル ,  光電池 ,  *生産性 ,  ポリスチレン ,  粒状材
準シソーラス用語： *ナノスフィアリソグラフィー ,  ナノワイヤアレイ ,  ポリスチレンビーズ ,  太陽光スペクトル

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノスフィアリソグラフィ ,  領域成長 ,  ナノワイヤアレイ ,  最適化