文献
J-GLOBAL ID:201202266351077198   整理番号:12A1053325

GaAs-GaAsP歪超格子光電陰極の30kVスピン分極透過型電子顕微鏡

30-kV spin-polarized transmission electron microscope with GaAs-GaAsP strained superlattice photocathode
著者 (9件):
資料名:
巻: 101  号:ページ: 033102-033102-4  発行年: 2012年07月16日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
負の電子親和力(NEA)表面を持つGaAs-GaAsP歪超格子半導体からできた光電陰極の光電陰極電子銃を用いて,スピン分極電子ビームを透過型電子顕微鏡のプローブビームとして使った。この系は空間分解能が30keVで1nmのオーダであり,モノクロメータを使わずに0.24eVのエネルギー幅の電子ビームを発生できる。この狭い幅から,NEA光電陰極は電子エネルギー損失分光法で高いエネルギー分解能と3×10-7の縦コヒーレンスを実現できると考えられる。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電子顕微鏡,イオン顕微鏡  ,  電子源,イオン源 

前のページに戻る