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J-GLOBAL ID：201202266380718950   整理番号：12A0809073

ナノスケール円筒状サラウンディングゲートMOSFETに及ぼす局在化電荷の影響:アナログ性能および直線性解析

Effect of localised charges on nanoscale cylindrical surrounding gate MOSFET: Analog performance and linearity analysis

著者 (4件)： GAUTAM Rajni (Semiconductor Device Res. Lab., Dep. of Electronic Sci., Univ. Of Delhi, South Campus, Benito Juarez Road, New Delhi ...) ,  SAXENA Manoj (Dep. of Electronics, Deen Dayal Upadhyaya Coll., Univ. of Delhi, Karampura, New Delhi 110 015, IND) ,  GUPTA R.s. (Dep. of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Inst. of Technol., Sector 22, Rohini, New Delhi ...) ,  GUPTA Mridula (Semiconductor Device Res. Lab., Dep. of Electronic Sci., Univ. Of Delhi, South Campus, Benito Juarez Road, New Delhi ...)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 6  ページ： 989-994  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局在化界面電荷を含むナノスケール円筒状サラウンディングゲート(SRG)MOSFETのシミュレーション研究を示す。本研究の目的は,このデバイスの半導体/酸化物界面での局在化/固定化電荷形態におけるホットキャリア誘起/放射線誘起/ストレス誘起損傷による性能劣化を研究することである。ドレイン電流,相互コンダクタンスとその高次項,デバイス効率,直線性FOMなどの特性について,固定化電荷の影響を研究した。界面固定化電荷の影響をシミュレーションにより詳細に検討した。このデバイスの回路信頼性課題をDCバイアス点劣化により検討する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  *立体構造 ,  *MOSFET ,  ホットキャリア ,  放射線照射 ,  漏れ電流 ,  ドレイン【半導体】 ,  相互コンダクタンス ,  *回路シミュレーション ,  信頼性 ,  電流電圧特性 ,  電荷 ,  線形性 ,  *ナノ構造 ,  *円筒
準シソーラス用語： サラウンディングゲート ,  応力誘起漏れ電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノスケール ,  サラウンディングゲート ,  MOSFET ,  局在化 ,  電荷 ,  アナログ ,  直線性 ,  解析