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J-GLOBAL ID：201202267496279348   整理番号：12A0248176

Ge(110)基板上にSnの取り込みによって成長させたエピタキシャルGeの結晶性改善

Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn

著者 (5件)： SHIMURA Yosuke (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SHIMURA Yosuke (Res. Fellow of the Japan Society for the Promotion of Sci., Saitama, JPN) ,  ASANO Takanori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 1  ページ： 015501.1-015501.3  発行年： 2012年01月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge(110)基板上のGeとGe_1-xSn_xエピタキシャル層の成長挙動を研究した。Ge(110)の異方性表面再建構造のため,多くの積層欠陥がエピタキシャルGe層に誘導された。対照的に, エピタキシャルGe_1-xSn_x層の結晶性がSn原子の取り込みによって改善されることを見つけた。これは,Snによる Ge(110)表面の再建構造の変化によると思われる。この結果,積層欠陥のない擬形態Ge_0.952Sn_0.048層の成長を達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  基板 ,  スズ含有合金 ,  *エピタクシー ,  積層欠陥 ,  結晶 ,  異方性 ,  成長 ,  挙動

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (18件)：

• DISSANAYAKE, S. J. Appl. Phys. 2011, 109, 033709
• LEE, C. H. IEDM Proc., 2010. 2010, 416
• KAVALIEROS, J. Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2006. 2006
• BASKER, V. S. Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2010. 2010
• SUK, S. D. IEDM Tech. Dig., 2005. 2005, 717

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  Sn ,  取り込み ,  成長 ,  エピタキシャル ,  結晶性