デカンジチオール分子接合に関するナノギャップ電極を用いた製造およびキャラクタリゼーション

TAKAHASHI Yuuta; KIGUCHI Manabu; HORIKAWA Masayo; NAITOH Yasuhisa; TSUTSUI Ken; TAKAGI Hitoshi; MORITA Masayuki; TOKUDA Masahide; ITO Yoshitoshi; WADA Yasuo

文献

J-GLOBAL ID：201202268001965662 整理番号：12A1101711

デカンジチオール分子接合に関するナノギャップ電極を用いた製造およびキャラクタリゼーション

Fabrication and Characterization of Decanedithiol Molecular Junction Using Nanogap Electrodes

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A1101711&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A1101711&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (10件)： , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 51 号： 7,Issue 1 ページ： 075201.1-075201.4 発行年： 2012年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

著者らは,デカンジチオール分子接合を,溶液中で平面状Auナノギャップ電極を用いて製造し,キャラクタリゼーションを行った。この分子接合は,デカンジチオール溶液中に上記ナノギャップ電極を浸して形成した。Au電極を架橋する分子の数は,下記の独立な2方法を用いて精密に評価した。先ず,分子の数をナノギャップ電極の面積から推定した。ナノギャップ電極の面積は浸漬過程の前に,ナノギャップ電極の電流電圧(I-V)曲線から評価した。二番目に,分子の数を,分子接合のコンダクタンスを単一分子接合に関する既報のコンダクタンス値との比較によって推定した。著者らは,電気化学過程によって,これら分子接合の反復的形成および破壊を行った。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , ,
,

分子の電気的・磁気的性質

引用文献 (19件)：

1) J. C. Cuevas and E. Scheer: Molecular Electronics (World Scientific, Singapore, 2010).
2) N. Agra隧t, A. L. Yeyati, and J. M. van Ruitenbeek: Phys. Rep. 377 (2003) 81.
3) T. -T. Liang, Y. Naitoh, M. Horikawa, T. Ishida, and W. Mizutani: J. Am. Chem. Soc. 128 (2006) 13720.
4) M. Taniguchi, Y. Nojima, K. Yokota, J. Terao, K. Sato, N. Kambe, and T. Kawai: J. Am. Chem. Soc. 128 (2006) 15062.
5) N. Tuccitto, V. Ferri, M. Cavazzini, S. Quici, G. Zhavnerko, A. Licciardello, and M. Anita Rampi: Nat. Mater. 8 (2009) 41.

, , , ,

前のページに戻る