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J-GLOBAL ID：201202268193695418   整理番号：12A0555108

マイグレーション・エンハンスト・エピタクシーによるCu₂Se無しCuGaSe₂の成長の成功

Successful growth of Cu₂Se-free CuGaSe₂ by migration-enhanced epitaxy

著者 (5件)： FUJITA Miki (Waseda Univ., Fac. of Sci. and Engineering, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169 - 8555, Japan; CREST, Japan Sci. and ...) ,  SATO Tomohiro (Waseda Univ., Fac. of Sci. and Engineering, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169 - 8555, Japan; CREST, Japan Sci. and ...) ,  KITADA Tsuyoshi (Waseda Univ., Fac. of Sci. and Engineering, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169 - 8555, Japan; CREST, Japan Sci. and ...) ,  KAWAHARAZUKA Atsushi (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, 4-1-8 Honcho Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan; Waseda Univ., Kagami ...) ,  HORIKOSHI Yoshiji (Waseda Univ., Fac. of Sci. and Engineering, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan; CREST, Japan Sci. and ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 2  ページ： 02B126-02B126-5  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(001)基板上にCuGaSe₂薄膜をCu+GaとSeが交互に堆積されるマイグレーション・エンハンスト・エピタクシーによって成長した。成長中のその場反射高エネルギー電子回折観測からCuGaSe₂上のCu₂Seの偏析が異常回折パターンによって検出できることがわかった。Cu₂Seの偏析が生ずる時,歪んだパターンがCu+GaとSeの両方の堆積周期に出現する。フラックス比を最適化することで,異常回折は消失し,GaAs(001)基板上でCu₂Seの偏析無しで高品質CuGaSe₂単結晶層の成長に成功した。また,Cu₂Se偏析のあるCuGaSe₂/GaAsウエハでは,基板表面に高密度の空洞がしばしば見られた。これらの空洞はCu₂Se無しの成長条件が採用された時には消失した。GaAs基板表面近傍のGa原子は成長層内の過剰Cu原子によって恐らく引き出されてCuGaSe₂を形成し,かなり大きなサイズの空洞を作り出すと考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  ヒ化ガリウム ,  *ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  RHEED ,  その場観察 ,  偏析 ,  単結晶
準シソーラス用語： *マイグレーション・エンハンスト・エピタキシー ,  *セレン化ガリウム銅

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： マイグレーション・エンハンスト・エピタクシー ,  成長 ,  成功