歳差電子回折と自動回折トモグラフィーによる硬質材料の構造特性化: 6H-SiC半導体とNi<sub>1+x</sub>Te<sub>1</sub>埋込みナノ領域

SARAKINOU E; MUGNAIOLI E; LIOUTAS Ch B; VOUROUTZIS N; FRANGIS N; KOLB U; NIKOLOPOULOS S

文献

J-GLOBAL ID：201202268491133953 整理番号：12A1603090

歳差電子回折と自動回折トモグラフィーによる硬質材料の構造特性化: 6H-SiC半導体とNi_1+xTe₁埋込みナノ領域

Structure characterization of hard materials by precession electron diffraction and automatic diffraction tomography: 6H-SiC semiconductor and Ni_1+xTe₁ embedded nanodomains

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資料名：
巻： 27 号： 10 ページ： 105003,1-7 発行年： 2012年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

NiTeは金属間化合物である。NiTe層は二枚の重なった金属の相互拡散を防止又は遅れさせる拡散障壁の役割をする。本研究では,6H-SiC半導体とNiTiの構造特性を歳差電子回折と自動回折トモグラフィー(ADT)により調べた。6H-SiCの構造は他のX線法による構造と良く一致し,ADTが構造決定の強力で信頼できる方法であることを実証した。N₅Te₄構造は埋込みナノ領域にのみ観測され,この相の構造は単斜晶系空間群(Pm)を有した。この構造は仮想の六方晶系構造の超構造である。

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金属の結晶構造

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歳差電子回折と自動回折トモグラフィーによる硬質材料の構造特性化: 6H-SiC半導体とNi1+xTe1埋込みナノ領域

歳差電子回折と自動回折トモグラフィーによる硬質材料の構造特性化: 6H-SiC半導体とNi_1+xTe₁埋込みナノ領域