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J-GLOBAL ID：201202268561038880   整理番号：12A1510442

シリコン技術で製作した正確に調整可能なジオメトリの均一電界放出カソード

Homogeneous Field Emission Cathodes With Precisely Adjustable Geometry Fabricated by Silicon Technology

著者 (7件)： DAMS Florian (Regensburg Univ. Applied Sci., Regensburg, DEU) ,  NAVITSKI Aliaksandr (Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  PROMMESBERGER Christian (Regensburg Univ. Applied Sci., Regensburg, DEU) ,  SERBUN Pavel (Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  LANGER Christoph (Regensburg Univ. Applied Sci., Regensburg, DEU) ,  MUELLER Guenter (Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  SCHREINER Rupert (Regensburg Univ. Applied Sci., Regensburg, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 10  ページ： 2832-2837  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小型電子ソースとして使う,シリコンによる鋭い先端で正確に整列した電界放出アレイカソードを製作し特性を調べた。カソードの製作には熱酸化,ウエットエッチング,異方性のRIEのプロセスを用いている。基板材料はpドープシリコンとnドープシリコンである。カソードチップは先端高さ2.5μm,半径30nm以下,間隔20μmで3×10⁵/cm²を三角アレイに含んでいる。電界放出(FE)は極めて均一で最大安定電流0.1μA(0.6μA)がp(n)シリコンで再現性良く達成された。Si先端に5nmのCrと10nmのAuを被覆すると安定性が改善し,30%高い動作電圧で少なくとも5倍高い平均FE電流限界(約3μA)が得られた。

シソーラス用語： *電界放出 ,  *カソード ,  電界放出アレイ ,  電子源 ,  端部 ,  熱酸化 ,  エッチング ,  RIE【エッチング】 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 異方性エッチ ,  湿式エッチング ,  先端

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  製作 ,  ジオメトリ ,  電界放出 ,  カソード