文献

J-GLOBAL ID：201202268689967175   整理番号：12A0785055

窒化ケイ素薄膜の熱伝導率に対する歪の影響

Influence of strain on thermal conductivity of silicon nitride thin films

著者 (5件)： ALAM M T (Penn State Univ., PA, USA) ,  MANOHARAN M P (Penn State Univ., PA, USA) ,  HAQUE M A (Penn State Univ., PA, USA) ,  MURATORE C (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  VOEVODIN A (Air Force Res. Lab., OH, USA)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 22  号： 4  ページ： 045001,1-8  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素(Si₃N₄)は,各種のマイクロエレクトロニクス,オプトエレクトロニクスやMEMSで絶縁,パッシベーション,エッチングマスクや構造材料として広く使われており,これらの特性に対する影響が大きい。本稿では,LPCVD法により蒸着した窒化ケイ素薄膜の熱伝導率に対する歪の影響を調べた。赤外線顕微鏡とマルチフィジックスを使って50nm厚みの窒化ケイ素薄膜の熱伝導率を測定した。その結果,この薄膜の熱伝導率は歪ゼロのとき2.7W(mK)^-1から歪が約2.4%で0.34W(mK)^-1に低下することが分かった。このような熱伝導率の歪依存性は,アモルファス窒化ケイ素試料中の支配的なホッピングモード伝導を減少させるフラクション-フォノン相互作用に対する歪の影響のためと考えられる。

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *熱伝導率 ,  LPCVD ,  依存性 ,  歪 ,  *ホッピング伝導 ,  フォノン ,  相互作用 ,  誘電体薄膜 ,  MEMS ,  不動態化 ,  光学顕微鏡 ,  物理学
準シソーラス用語： パッシベーション ,  赤外線顕微鏡 ,  歪依存性 ,  マルチフィジックス

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の熱的変量の計測法・機器  (AD06040R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化 ,  ケイ素薄膜 ,  熱伝導率 ,  歪