KOHDA M. について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
KOHDA M. について
JST-PRESTO, Saitama, JPN について
LECHNER V. について
Univ. Regensburg, Regensburg, DEU について
KUNIHASHI Y. について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
DOLLINGER T. について
Univ. Regensburg, Regensburg, DEU について
OLBRICH P. について
Univ. Regensburg, Regensburg, DEU について
SCHOENHUBER C. について
Univ. Regensburg, Regensburg, DEU について
CASPERS I. について
Univ. Regensburg, Regensburg, DEU について
BEL’KOV V.V. について
Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS について
GOLUB L.E. について
Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS について
WEISS D. について
Univ. Regensburg, Regensburg, DEU について
RICHTER K. について
Univ. Regensburg, Regensburg, DEU について
NITTA J. について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
GANICHEV S.D. について
Univ. Regensburg, Regensburg, DEU について
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について
ヒ化ガリウムインジウム について
化合物半導体 について
量子井戸 について
ゲート【半導体】 について
スピン-軌道相互作用 について
効果 について
二次元電子ガス について
アルミニウム化合物 について
インジウム化合物 について
ヒ化物 について
光ガルバノ効果 について
Anderson局在 について
スピン配位 について
Rashbaスピン-軌道相互作用 について
Dresselhaus効果 について
ヒ化インジウムアルミニウム について
弱い局在 について
弱い反局在 について
スピン螺旋 について
その他の無機化合物の磁性 について
Ga について
量子井戸 について
ゲート について
永久 について
スピン について
螺旋 について