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J-GLOBAL ID：201202270100944582   整理番号：12A1603100

GaAsN太陽電池の性能に及ぼす重要な深準位と界面状態の影響: シミュレーション研究

Effects of a key deep level and interface states on the performance of GaAsN solar cells: a simulation analysis

著者 (5件)： HAN Xiuxun (Lanzhou Inst. of Chemical Physics, Chinese Acad. of Sci., Lanzhou, CHN) ,  HWANG Jong-Ha (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  KOJIMA Nobuaki (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  OHSHITA Yoshio (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  YAMAGUCHI Masafumi (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 10  ページ： 105013,1-6  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変換効率の低いGaAsN太陽電池の原因を明らかにするために,GaAsN発光体とGaAs前表面電界層の界面準位,及び伝導バンドの約0.3~0.4eV下の深準位(E1)の影響を数値シミュレーションにより調べた。実験データに当てはめるには,高速の界面再結合とGaAsN層における高い深準位濃度を必要とした。界面再結合は短波長領域における量子効率の低下で重要な役割をした。GaAs表面電界層における高ドーピング水準と薄い発光層によりその影響を弱められる。空間電荷領域からのShockley-Read-Hall再結合の大きな寄与の原因はE1の豊富な存在である。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *深い準位 ,  *表面準位 ,  計算機シミュレーション ,  ヒ化ガリウム ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  深準位過渡分光法 ,  ドーピング ,  素子構造 ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： *深準位 ,  電流密度電圧特性

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  深準位 ,  界面状態 ,  シミュレーション ,  研究