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J-GLOBAL ID：201202270150231668   整理番号：12A0607151

電界集中を利用した局所的ポーラスシリコンの形成及び界面活性剤添加効果

著者 (4件)： 矢作徹 (山形県工技セ) ,  岩松新之輔 (山形県工技セ) ,  渡部善幸 (山形県工技セ) ,  小林誠也 (山形県工技セ)
資料名： 山形県工業技術センター報告  (Reports of Yamagata Research Institute of Technology)
号： 43  ページ： 23-26  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： F0568A  ISSN： 0286-813X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ポーラスシリコン(PSi)は微細細孔を持つスポンジ状シリコンであり,表面積が大きく可視発光を示すなど通常のシリコンにはない物性を持つ。本研究では,Siウエハ上に予め微細なパターンを形成し,パターン凹凸部への電界集中を利用してパターン位置への局所的PSiを形成させた。更に,局所的PSi形成におけるフッ素酸溶液への界面活性剤添加効果をも検討した。

シソーラス用語： 多孔質シリコン ,  *パターン形成 ,  Tween20 ,  Triton X ,  添加物効果 ,  電場効果 ,  脂肪族アルコール

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

物質索引 (1件)： エタノール

引用文献 (4件)：

• 1) B. Gelloz, M. Sato, N. Koshida: Jpn. J. Appl. Phys., 47 (2008), 2902.
• 2) Y. Tao, M. Esashi : J. Micromech. Microeng. 14 (2004), 1411.
• 3) L. Canham(ed.): Properties of Porous Silicon, 1997.
• 4) 矢作徹, 阿部泰, 岩松新之輔, 渡部善幸, 小林誠也: 山形県工業技術センター報告, No.42(2010)46.

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界 ,  ポーラスシリコン ,  界面活性剤 ,  添加効果