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J-GLOBAL ID：201202270305134168   整理番号：12A1711853

非晶質SiにおけるNiの拡散に及ぼす二層形状の効果及び結果として起こるケイ化物の成長

Effect of bilayer geometry on the diffusion of Ni in amorphous Si and the consequent growth of silicides

著者 (2件)： AHAMAD MOHIDDON Mahamad (School of Physics, Univ. of Hyderabad, Hyderabad-500046, India and Dep. of Physics, Univ. of Trento, Trento, ITA) ,  GHANASHYAM KRISHNA Mamidipudi (School of Physics, Univ. of Hyderabad, Hyderabad-500046, IND)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 6  ページ： 061203-061203-8  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶融シリカ基板上へのニッケル-非晶質シリコン(a-Si)二層薄膜の堆積及びアニーリングを報告した。上と下に,それぞれ,a-Si層とNi層からなる二層形状を研究した。二層を,200と550°Cの間の温度で堆積し,各場合に,真空中で堆積の温度でポスト堆積アニールし,拡散過程に及ぼす形状の効果を研究した。拡散過程を,エネルギー分散分光と共に断面走査電子顕微鏡を用いて説明した。研究は,形状とは無関係に,Ni/Si二層の頂部表面が,アニーリング後にNiが豊富になることを明らかにした。Niが頂部にある形状において,X線回折及びRaman分光研究は,<400°Cの温度において,NiとSiとの間に反応が無いことを明らかにした。Ni-Si反応は,>400°Cの温度において起こり,Ni₃₁Si₁₂が形成した。しかしながら,Niが,200°Cの温度においてSiの底部にあるとき,Niリッチケイ化物が形成した。これが,Niのナノ結晶化に加わる。Niが底部に有る場合,ほとんどのエネルギーは,Niの拡散及び結晶化に取られた。残ったエネルギーは,その後,Siとの反応に使われ,Ni₃₁Si₁₂の形成及びその結晶化をもたらした。>500°Cの温度において,NiはSiと反応し,NiSi₂を形成した。Niが頂部にあるとき,それは,すでにその優先位置にあるので,ほとんどのエネルギーは,Niの結晶化,SiとのNiの反応,及びNiSi₂の結晶化に使われた。重要なことは,両方の場合,エネルギーは,Siの結晶化を引き起こすのに不十分であることである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *ニッケル ,  金属薄膜 ,  多層膜 ,  石英ガラス ,  基板 ,  *焼なまし ,  *形状効果 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  *ケイ化物 ,  結晶化 ,  *非晶質半導体 ,  *相互拡散 ,  ニッケル化合物
準シソーラス用語： ナノ結晶化 ,  *二層膜

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質Si ,  Ni ,  拡散 ,  二層 ,  ケイ化物 ,  成長