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J-GLOBAL ID：201202271650940041   整理番号：12A1367519

大面積のII-VI材料成長のための原子状水素を用いた酸化物除去のX線光電子分光法の研究

X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of Oxide Removal Using Atomic Hydrogen for Large-Area II-VI Material Growth

著者 (5件)： LEE Kyoung-Keun (Texas State Univ., Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA) ,  DOYLE Kevin (Texas State Univ., Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA) ,  CHAI Jessica (Texas State Univ., Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA) ,  DINAN John H. (Texas State Univ., Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA) ,  MYERS Thomas H. (Texas State Univ., Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 10  ページ： 2799-2809  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究はSb過剰圧力の下での熱脱離に代わるものとしてGaSbの(211)Bと(111)Bの基板をきれいにするために原子状水素の使用を検討した。X線光電子分光法測定は原子状水素できれいにされたGaSb上の酸化物除去を検証した。いろいろな条件での原子状水素クリーニング後のGaSbの表面状態を特徴付けるために原子間力顕微鏡法を使用した。調べた全ての基板は原子状水素の有無にかかわらず,より高い脱酸素温度を使用するにつれてより大きくなった高密度のピットを含有した。化学量論変化をいろいろな酸化物除去条件および連続するエピ層上の成長効果と比較するために,ホモエピタクシーGaSb(100)と(211)Bを使用した。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  MBE成長 ,  水素 ,  *酸化物 ,  *X線光電子分光法 ,  アンチモン化ガリウム ,  顕微鏡観察 ,  脱酸素 ,  ホモエピタクシー ,  層 ,  穴 ,  浄化
準シソーラス用語： GaSb ,  II-VI族半導体 ,  エピ層 ,  ピット ,  原子間力顕微鏡法 ,  *原子状水素 ,  表面洗浄

分類 (4件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  電子分光法  (BK01050P) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大面積 ,  成長 ,  原子状水素 ,  酸化物 ,  X線光電子分光法 ,  研究