文献

J-GLOBAL ID：201202271703928014   整理番号：12A0121626

ドライエッチしたトレンチの低温アルカリ処理による高アスペクト比の単結晶シリコン懸垂ナノブリッジの加工

Elaboration of high aspect ratio monocrystalline silicon suspended nanobridges by low temperature alkaline treatment of dry etched trenches

著者 (5件)： DEFFORGE Thomas (Univ. Francois Rabelais de Tours, Lab. de Microelectronique de Puissance, 16 Rue Pierre et Marie Curie, BP 7155 ...) ,  GAUTIER Gaeel (Univ. Francois Rabelais de Tours, Lab. de Microelectronique de Puissance, 16 Rue Pierre et Marie Curie, BP 7155 ...) ,  TILLOCHER Thomas (Groupe de Recherches sur l’Energetique des Milieux Ionises, CNRS/Polytech’Orleans, Orleans Cedex 2, FRA) ,  DUSSART Remi (Groupe de Recherches sur l’Energetique des Milieux Ionises, CNRS/Polytech’Orleans, Orleans Cedex 2, FRA) ,  TRAN-VAN Francois (Univ. Francois Rabelais de Tours, Lab. de Physico-Chimie des Materiaux et Biomolecules, EA 4244, Parc de Grandmont ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 1  ページ： 010601  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高いアスペクト比(250),高い線形密度(500cm^-1)の懸垂したシリコンナノブリッジを低濃度アルカリ溶液中で加工した結果を述べる。最初に深い反応性イオンエッチングSTiGerプロセスを使って,シリコン中へトレンチをエッチした。これら構造は低濃度の水酸化カリウム(KOH),あるいは水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)溶液中へ浸漬した。シリコンのトレンチエッチング試薬としてのKOHとTMAHの挙動(運動論とエッチングの品質)を調べて,シリコンナノワイヤ(SiNW)形成と懸垂構造の加工を最適化した。これら条件でのSiNW厚みの限界も論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ドライエッチング ,  アスペクト比 ,  *ケイ素 ,  懸垂 ,  *RIE【エッチング】 ,  水酸化カリウム ,  ナノワイヤ ,  トレンチカット【加工】 ,  *アルカリ処理 ,  単結晶
準シソーラス用語： ケイ素ナノワイヤ ,  *ナノブリッジ ,  高アスペクト比

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 水酸化テトラメチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (8件)： エッチ ,  トレンチ ,  低温 ,  アルカリ処理 ,  高アスペクト比 ,  単結晶シリコン ,  懸垂 ,  ナノブリッジ