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J-GLOBAL ID：201202271731064009   整理番号：12A1438934

多結晶シリコンにおける拡張欠陥上の不純物修飾のEBIC研究

EBIC Study of Impurity Decoration on Extended Defects in Multicrystalline Silicon

著者 (11件)： PRAKASH Ronit R. (NIMS) ,  PRAKASH Ronit R. (Tsukuba Univ.) ,  MIYAMURA Yoshiji (NIMS) ,  CHEN Jun (NIMS) ,  JIPTNER Karolin (NIMS) ,  JIPTNER Karolin (Tsukuba Univ.) ,  LI Jianyong (NIMS) ,  LI Jianyong (Meiji Univ.) ,  HARADA Hirofumi (NIMS) ,  SEKIGUCHI Takashi (NIMS) ,  SEKIGUCHI Takashi (Tsukuba Univ.)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12P-F6-7  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  不純物 ,  *結晶粒界 ,  *電子線誘起電流 ,  インゴット ,  キャリア寿命 ,  少数キャリア ,  格子欠陥 ,  光伝導 ,  *電子回折 ,  マイクロ波 ,  減衰特性
準シソーラス用語： 電気活性 ,  電子後方散乱回折 ,  拡張欠陥

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多結晶シリコン ,  拡張欠陥 ,  不純物 ,  修飾 ,  EBIC ,  研究