TTFとTCNQ(TTF=テトラチアフルバレン,TCNQ=7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン)結晶間の界面で何が起こっているか?

TAKAHASHI Yukihiro; HAYAKAWA Kei; NAITO Toshio; INABE Tamotsu

文献

J-GLOBAL ID：201202272348421996 整理番号：12A0346617

TTFとTCNQ(TTF=テトラチアフルバレン,TCNQ=7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン)結晶間の界面で何が起こっているか?

What Happens at the Interface between TTF and TCNQ Crystals (TTF = Tetrathiafulvalene and TCNQ = 7,7,8,8-Tetracyanoquinodimethane)?

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A0346617&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A0346617&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1877A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 116 号： 1 ページ： 700-703 発行年： 2012年01月12日
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

TTF粉末でTCNQ(TTF=テトラチアフルバレン,TCNQ=7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン)単結晶を処理してTTFとTCNQ結晶間の界面を形成し,電導度測定や原子間力顕微鏡(AFM)で検討した。界面の金属性質では挙動が230K以下で熱活性化型に変化し,表面抵抗は界面での値よりも層状化した単結晶で数桁大きかった。TTF接触前のTCNQ結晶の表面抵抗は500MΩ sq^-1だったが,TTF粉末接触後は60kΩ sq^-1に減少した。RamanスペクトルからTTF-TCNQ複合体の形成は単にTCNQ結晶にTTF結晶が接触するだけで起こり,TCNQ^-が界面に存在し,TTF-TCNQと同様に電荷移動に重要だった。AFM像では針状の伸びた投影とドット状の投影を示し,TTF-TCNQ複合体は針状形態を有した。TTF-TCNQ複合体はランダムに配向し,エピタキシャルな成長に傾向はなかった。TTF-TCNQナノ結晶が密に成長すると表面に欠損や割れ目が存在した。狭い範囲ではネットワークを形成しないが,電導度の金属性はTTFナノ結晶からTCNQ表面への電荷注入で説明できることを示した。

, , , , , , , , , , , ,

固-固界面

, , , , ,

前のページに戻る