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J-GLOBAL ID：201202272348421996   整理番号：12A0346617

TTFとTCNQ(TTF=テトラチアフルバレン,TCNQ=7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン)結晶間の界面で何が起こっているか?

What Happens at the Interface between TTF and TCNQ Crystals (TTF = Tetrathiafulvalene and TCNQ = 7,7,8,8-Tetracyanoquinodimethane)?

著者 (4件)： TAKAHASHI Yukihiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HAYAKAWA Kei (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  NAITO Toshio (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  INABE Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 1  ページ： 700-703  発行年： 2012年01月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TTF粉末でTCNQ(TTF=テトラチアフルバレン,TCNQ=7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン)単結晶を処理してTTFとTCNQ結晶間の界面を形成し,電導度測定や原子間力顕微鏡(AFM)で検討した。界面の金属性質では挙動が230K以下で熱活性化型に変化し,表面抵抗は界面での値よりも層状化した単結晶で数桁大きかった。TTF接触前のTCNQ結晶の表面抵抗は500MΩ sq^-1だったが,TTF粉末接触後は60kΩ sq^-1に減少した。RamanスペクトルからTTF-TCNQ複合体の形成は単にTCNQ結晶にTTF結晶が接触するだけで起こり,TCNQ^-が界面に存在し,TTF-TCNQと同様に電荷移動に重要だった。AFM像では針状の伸びた投影とドット状の投影を示し,TTF-TCNQ複合体は針状形態を有した。TTF-TCNQ複合体はランダムに配向し,エピタキシャルな成長に傾向はなかった。TTF-TCNQナノ結晶が密に成長すると表面に欠損や割れ目が存在した。狭い範囲ではネットワークを形成しないが,電導度の金属性はTTFナノ結晶からTCNQ表面への電荷注入で説明できることを示した。

シソーラス用語： *界面 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  電荷移動 ,  キャリア注入 ,  電気伝導率 ,  電荷移動錯体 ,  オレフィン化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  脂環式化合物 ,  ニトリル ,  ジエン ,  キノイド化合物 ,  *固固界面

分類 (1件)： 固-固界面  (CB12060M)

物質索引 (2件)： テトラチアフルバレン ,  テトラシアノキノジメタン

タイトルに関連する用語 (6件)： TTF ,  TCNQ ,  テトラチアフルバレン ,  テトラシアノキノジメタン ,  結晶 ,  界面