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J-GLOBAL ID：201202272643224019   整理番号：12A1714813

AR-XPS及びHAX-PESによるSiO₂/SiC界面の化学結合状態評価

AR-XPS and HAX-PES Studies on Chemical bonding states at SiO₂/SiC interfaces

著者 (7件)： 岡田葉月 (東京都市大) ,  小松新 (東京都市大) ,  渡辺将人 (東京都市大) ,  泉雄大 (高輝度光科学研究セ) ,  室桂隆之 (高輝度光科学研究セ) ,  澤野憲太郎 (東京都市大) ,  野平博司 (東京都市大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 263(SDM2012 89-97)  ページ： 5-9  発行年： 2012年10月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 熱酸化により形成したSiO₂/SiC界面を角度分解X線光電子分光(AR-XPS)および硬X線光電子分光(HAX-PES)測定により評価した。その結果,界面にシリコンサブオキサイドが存在すること,C 1sスペクトルの詳細な解析から,SiC中のC-C結合およびSiO₂中の炭素に起因すると考えられる信号が見られることを見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *X線光電子分光法 ,  硬X線 ,  スペクトル解析 ,  炭化ケイ素 ,  C-C結合 ,  界面 ,  化学結合
準シソーラス用語： AR-XPS ,  HAX-PES ,  SiC ,  *X線光電子分光

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  分光法と分光計一般  (BD07041Q)

引用文献 (22件)：

• Matsunami, H. 2011 International Workshop on Dieelectric Thin Filims For Future Devices SCIENCE AND TECHNOLGY Janury2011. 2011, 169-171
• ed., O. Madelung. Data in Science and TSemiconductors, Group IV ElementsCompounds. 1991
• Choyke, W. J. Silicon Carbide A Review of Fundamental Questions and Applications to Current Device tech-nolog. 1997, I
• Ventra, M.Di. Phys. Rev.Lett. 1999, 83, 1624
• Knaup, J. M. Phys. RevB. 2005, 71, 235321

タイトルに関連する用語 (7件)： Ar ,  XPS ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  化学結合 ,  状態評価