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J-GLOBAL ID：201202273825116129   整理番号：12A0684944

成長温度の関数として研究したSiドープGaAs(631)層の電気的,光学的特性

Electrical and optical properties of Si doped GaAs (631) layers studied as a function of the growth temperature

著者 (8件)： VAZQUEZ-CORTAS D. (Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi ...) ,  VAZQUEZ-CORTAS D. (Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bukyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  SHIMOMURA S. (Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bukyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  LOPEZ-LOPEZ M. (Physics Dep., Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico DF 07000, MEX) ,  CRUZ-HERNANDEZ E. (Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi ...) ,  GALLARDO-HERNANDEZ S. (Physics Dep., Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal 14-740, Mexico DF 07000, MEX) ,  KUDRIAVTSEV Y. (Electrical Engineering Department-SEES, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN, Apartado Postal ...) ,  MENDEZ-GARCIA V.h. (Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, Universidad Autonoma de San Luis Potosi ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 347  号： 1  ページ： 77-81  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーによって,GaAs(631)A基板上に成長温度の関数として成長したGaAs層へのSi埋め込みを研究した。原子間力顕微鏡法による測定から,試料表面がヒロック構造から平坦構造まで変化し,成長温度の関数としたとき,最終的には,一様な起伏が450から660°Cまで増加すること明らかになった。Hall測定を室温で行い,n型からp型への伝導型転換が,480°Cから500°Cまでの成長温度の範囲で起こることが明らかになった。500°Cより高い温度では,膜中のp型キャリア濃度とキャリア移動度は,両方とも,温度にほとんど影響を受けなかった。伝導型転換の開始前に,電気的特性が著しく変化した。それは,電気的特性が表面形態と関連していないことを示していた。膜のフォトルミネセンススペクトルから,光学遷移がGaとAsサイト上へのSiの占有率と関連していて,そのため,光学遷移はドナーとアクセプタ準位に関連していることが明らかになった。最も補償された試料のPLスペクトルでは,ドナー-アクセプタ(D-A)遷移によって支配され,このような遷移特性を励起出力強度実験によって研究した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ホモエピタクシー ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *埋込み【挿入】 ,  ケイ素 ,  原子間力顕微鏡 ,  *表面構造 ,  Hall効果 ,  温度依存性 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *光ルミネセンス ,  *電気伝導

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 成長温度 ,  関数 ,  研究 ,  Si ,  ドープ ,  GaAs ,  層 ,  光学的特性