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J-GLOBAL ID：201202274024057488   整理番号：12A1763144

Ge上のMOVPE成長GaAsのX線技術による構造研究

Structural investigation of MOVPE-grown GaAs on Ge by x-ray techniques

著者 (7件)： WONG C S (Dublin City Univ., Dublin, IRL) ,  BENNETT N S (Dublin City Univ., Dublin, IRL) ,  GALIANA B (CSIC, Madrid, ESP) ,  TEJEDOR P (CSIC, Madrid, ESP) ,  BENEDICTO M (CSIC, Madrid, ESP) ,  MOLINA-ALDAREGUIA J M (IMDEA Materials, Madrid, ESP) ,  MCNALLY P J (Dublin City Univ., Dublin, IRL)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 11  ページ： 115012,1-7  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsエピタキシャル層中に形成された拡張線欠陥の性質をシンクロトロンX線トポグラフィーを用いて調べた。また,(00l)(l=2,4,6)の三軸ω走査と相反空間写像を用いて,GaAs結晶中の逆位相分域の存在と緩和度を定量した。表面粗さはGaAs/Geヘテロ界面に形成された逆位相分域の大きさに密接に関係することを,X線回折,原子間力顕微鏡観察,透過型電子顕微鏡観察から明らかにした。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *X線構造解析 ,  格子欠陥 ,  分域 ,  逆位相境界 ,  ゲルマニウム ,  MOCVD ,  *エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  シンクロトロン放射
準シソーラス用語： MOVPE ,  逆位相分域 ,  線欠陥

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  MOVPE ,  成長 ,  GaAs ,  X線技術 ,  研究