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J-GLOBAL ID：201202274405195470   整理番号：12A1438477

FME成長Eu添加GaNにおけるEu発光特性の成長中断時間依存性

著者 (8件)： 松野孝則 (大阪大 大学院) ,  若松龍太 (大阪大 大学院) ,  LEE D. (大阪大 大学院) ,  小泉淳 (大阪大 大学院) ,  寺井慶和 (大阪大 大学院) ,  大渕博宣 (JASRI/SPring-8) ,  本間徹生 (JASRI/SPring-8) ,  藤原康文 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13P-F1-6  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  ユウロピウム ,  *エピタクシー ,  *発光スペクトル ,  光ルミネセンス ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *流量変調エピタクシー

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  Eu ,  GaN ,  発光特性 ,  中断 ,  時間依存性