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J-GLOBAL ID:201202276386204228   整理番号:12A1584407

半極性(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)青色発光ダイオードにおける厚い単一量子井戸構造を用いた熱劣化の減少

Reduction in Thermal Droop Using Thick Single-Quantum-Well Structure in Semipolar (20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>) Blue Light-Emitting Diodes
著者 (9件):
資料名:
巻:号: 10  ページ: 102103.1-102103.3  発行年: 2012年10月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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半極性(<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)面上に成長された厚さ12nmの厚い単一量子井戸(SQW)InGaN青色発光ダイオード(LEDs)のエレクトロ・ルミネッセンスの熱特性について報告する。電流密度100A/cm<sup>2</sup>では,外部量子効率(EQE)は温度が,20~100°C増加すると9.7%減少する。電流密度が20A/cm<sup>2</sup>において,熱/冷ファクターは0.9以上であった。裸のLEDチップを用い,900Kの高い特性温度,及び68°Cの低い接合温度が観測された。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  発光素子 
タイトルに関連する用語 (4件):
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