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J-GLOBAL ID：201202277056744974   整理番号：12A0640661

(Pb,Sn)-I系層状ペロブスカイト型化合物の電子機能開拓

著者 (8件)： 工藤勇 (北大 大学院) ,  高橋由香利 (北大 大学院) ,  高橋幸裕 (北大 大学院) ,  高橋幸裕 (JST-CREST) ,  長谷川裕之 (北大 大学院) ,  長谷川裕之 (JST-CREST) ,  稲辺保 (北大 大学院) ,  稲辺保 (JST-CREST)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 92nd  号： 2  ページ： 297  発行年： 2012年03月09日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機層と無機半導体層が交互に積層した有機無機複合ペロブスカイト型化合物(C6H5C2H4NH3)2PbxSn(1-x)I4の作製を行った。この混晶ではPb,Snの組成が異なるドメインを形成し,PbとSnの仕込み率を変えることで,Sn-I系の持つ電気伝導性とPb-I系の持つ大気安定性を兼ね合わせることができる。本研究ではこの混晶の電子構造の変化を明らにするとともに,薄膜化FETへの応用を試みた。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヨウ化物 ,  *鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *層状組織 ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  *有機-無機ハイブリッド ,  半導体 ,  固溶体 ,  依存性 ,  *電気伝導率 ,  安定性 ,  大気中 ,  *電子構造 ,  薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 混晶 ,  組成依存性 ,  層状構造

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  結晶学一般  (BK05010Z) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

物質索引 (1件)： フェネチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： Pb ,  Sn ,  層状ペロブスカイト ,  電子 ,  開拓