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J-GLOBAL ID：201202277147318609   整理番号：12A0850414

分子線エピタキシーによる成長直後に超電導を示すSmFeAs(O,F)薄膜

As-Grown Superconducting SmFeAs(O,F) Thin Films by Molecular Beam Epitaxy

著者 (8件)： UEDA Shinya (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  UEDA Shinya (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN) ,  TAKEDA Soichiro (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKEDA Soichiro (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN) ,  TAKANO Shiro (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKANO Shiro (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN) ,  NAITO Michio (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  NAITO Michio (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 5  ページ： 053101.1-053101.3  発行年： 2012年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長直後に50K以上のT_cを有するSmFeAs(O,F)超電導薄膜を分子線エピタキシーで成長することに成功した。薄膜成長の際,Sm,SmF₃,Fe,そしてAsを酸素雰囲気中で同時に堆積した。超電導膜を得る最も重大な要素は,基板の選択であることがわかった。SmFeAs(O,F)薄膜の成長には,CaF₂をバッファー層としたLaAlO₃が,むき出しのAlO₃やCaF₂よりもずっと適しており,T_c^on(T_c^end)が約52K(50K)を有するほぼ単相のSmFeAs(O,F)膜が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *超伝導薄膜 ,  *酸化物 ,  フッ化物 ,  サマリウム化合物 ,  *鉄化合物 ,  ヒ素化合物 ,  基板 ,  *バッファ層 ,  アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  臨界温度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (24件)：

• KAMIHARA, Y. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 3296
• KATASE, T. Supercond. Sci. Technol. 2010, 23, 082001
• TAKAHASHI, H. Nature. 2008, 453, 376
• CHEN, X. H. Nature. 2008, 453, 761
• REN, Z. A. Chin. Phys. Lett. 2008, 25, 2215

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子線エピタキシー ,  成長 ,  超電導 ,  薄膜