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J-GLOBAL ID：201202277153173647   整理番号：12A1729279

イオン蒸着で作製されたa-C:H:Si膜の低摩擦特性

Low friction characteristics of a-C:H:Si films prepared by ion vapor deposition

著者 (6件)： CHEN Xinchun (Univ. Tokyo) ,  KAWAGUCHI Masahiro (Tokyo Metropolitan Industrial Technol. Res. Inst.) ,  CHOI Junho (Univ. Tokyo) ,  MATSUMOTO Naohiro (Univ. Tokyo) ,  NOSAKA Masataka (Univ. Tokyo) ,  KATO Takahisa (Univ. Tokyo)
資料名： 日本トライボロジー学会トライボロジー会議予稿集  (Proceedings of JAST Tribology Conference)
巻： 2012-9  ページ： 409-410  発行年： 2012年08月24日 
JST資料番号： Y0047B  ISSN： 0919-6005  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *DLC膜 ,  ケイ素 ,  添加剤 ,  薄膜 ,  イオンビーム蒸着 ,  蒸着膜 ,  摩擦 ,  水分依存性 ,  試験装置 ,  高炭素合金鋼 ,  軸受鋼 ,  低合金鋼 ,  SUJ2 ,  *トライボロジー特性 ,  *低摩擦 ,  ピンオンディスク型試験機
準シソーラス用語： ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  潤滑一般  (QB02010S)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン ,  蒸着 ,  作製 ,  Si膜 ,  摩擦特性