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J-GLOBAL ID：201202277404478981   整理番号：12A1371101

分子ビームエピタクシーを用いたオフ配向(100)GaAs基板上のGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造に関するヒ素フリー環境におけるその場成長Ge

In situ grown Ge in an arsenic-free environment for GaAs/Ge/GaAs heterostructures on off-oriented (100) GaAs substrates using molecular beam epitaxy

著者 (7件)： HUDAIT Mantu K. (Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061) ,  ZHU Yan (Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061) ,  JAIN Nikhil (Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061) ,  VIJAYARAGHAVAN Siddharth (Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061) ,  SAHA Avijit (Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061) ,  MERRITT Travis (Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061) ,  KHODAPARAST Giti A. (Dep. of Physics, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 5  ページ： 051205-051205-11  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs/Ge/GaAsヘテロ構造に関する高品質エピタキシャルGe層を,真空移動チャンバにより結合した二つの個別分子ビームエピタクシー(MBE)チャンバを用いて,(100)オフ配向GaAs基板上にヒ素フリー環境においてその場成長させた。これらのヘテロ構造の構造,形態,及びバンドオフセット特性を研究した。反射高速電子回折研究は,450°Cにおける成長の後,(2×2)Ge表面再構成を示し,さらに,Ge上へのGaAs成長に関して滑らかな表面を明らかにした。高分解能三重結晶X線ロッキングカーブは,Pendelloesung振動の観測により,高品質Geエピ層及びGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造,及びそのエピ層がシュードモルフィックであることを実証した。原子間力顕微鏡は,~0.45nmの表面粗さをもつ滑らかで一様な形態を明らかにし,室温光ルミネセンス分光は,1583nmにおける直接バンドギャップ放出を示した。Ga,As,及びGeの動的二次イオン質量分析深さプロフィルは,Ge/GaAs界面において相互混合するGa,As,及びGeの低い値,及び15nm以下のGe/GaAs間の遷移を示した。GaAs/Ge/GaAs二重ヘテロ構造の上部GaAs/Ge-(2×2)及び底部Ge/(001)GaAs-(2×4)ヘテロ界面における価電子バンドオフセットは,それぞれ,約0.20eV及び0.40eVであった。したがって,MBE成長GaAs/Ge/GaAsヘテロ構造における高品質ヘテロ界面及びキャリア閉じ込めに関するバンドオフセットは,Geベースpチャネル高正孔移動度量子井戸電界効果トランジスタに対する有望な候補を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 素子構造 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ゲルマニウム ,  *MBE成長 ,  形態 ,  *バンドオフセット ,  RHEED ,  表面再構成 ,  ロッキングカーブ ,  干渉縞 ,  顕微鏡観察 ,  表面粗さ ,  光ルミネセンス ,  二次イオン質量分析 ,  深さプロフィル ,  *ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  X線回折
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法 ,  Pendelloesung縞 ,  シュードモルフィック成長

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 分子ビームエピタクシー ,  配向 ,  GaAs基板 ,  GaAs ,  Ge ,  ヘテロ構造 ,  ヒ素 ,  環境 ,  その場成長