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J-GLOBAL ID：201202279128762525   整理番号：12A0426582

パルスYAGレーザによるエッチング液中でのシリコンの穴あけ加工

著者 (3件)： 細野高史 (信州大 工) ,  金原正佳 (トピーファスナー工業) ,  榊和彦 (信州大 工)
資料名： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
巻： 56  号： 3  ページ： 190-195  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： L0473A  ISSN： 0914-2703  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アルカリ溶液中に設置した単結晶シリコンに,ナノ秒パルスYAGレーザを透過させた光ファイバ端面を接近させ,飛散物を直ちに溶解させることでデブリレスでの穴あけを実現した。既報の本加工法より短パルスのレーザとすることで1パルス当たりの加工量が著しく増えた一方,穴径が小さくなりファイバが穴に進入しないため加工が進展せず,また穴出口にチッピングが起きることが明らかになった。穴径の減少への対策としてファイバ端面と加工物との間隔を大きくすることで穴径を拡大させ,ファイバ自体が加工物を貫通するように加工することができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *エッチング液 ,  パルスレーザ ,  YAGレーザ ,  *ケイ素 ,  *レーザ穴あけ ,  ばり ,  工作物 ,  破損 ,  溶液 ,  水酸化カリウム ,  除去 ,  過酸化水素 ,  ファイバレーザ ,  *穴あけ ,  *加工欠陥 ,  加工面 ,  アルカリ溶液 ,  材料除去 ,  単結晶シリコン
準シソーラス用語： *チッピング【穴あけ欠陥】 ,  光ファイバレーザ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• WU, B. High aspect ratio silicon etch : A review. J. Appl. Phys. 2010, 108, 051101
• 細野高史. 単結晶シリコンのレーザアシストウェットエッチング. 2005年度精密工学会秋季大会講演論文集. 2005, 411
• 細野高史. 光ファイバを利用したシリコンのレーザアシストエッチング. 2006年度精密工学会春季大会講演論文集. 2006, 1235
• YAMASHITA, Y. Processing of Silicon by Direct Irradiation of Laser Beam Transmitted Through Optical Fiber. J. Jpn. Soc. Precis. Eng. 2008, 74, 5, 463
• TANAKA, H. Fast etching of silicon with a smooth surface in high temperature ranges near the boiling point of KOH solution. Sens. and Actuators A. 2004, 114, 516

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  YAGレーザ ,  エッチング液 ,  シリコン ,  穴あけ加工