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J-GLOBAL ID：201202279574212890   整理番号：12A1371189

Heイオン顕微鏡による白金堆積及びサブ表面のシリコン損傷の構造評価

Structural characterization of He ion microscope platinum deposition and sub-surface silicon damage

著者 (7件)： DREZNER Yariv (Intel Israel (74) Ltd., P.O. Box 1659, Haifa 31015, ISR) ,  GREENZWEIG Yuval (Intel Israel (74) Ltd., P.O. Box 1659, Haifa 31015, ISR) ,  FISHMAN Daniel (Intel Israel (74) Ltd., FAB 28, Qiryat Gat, 82109 Israel) ,  VAN VELDHOVEN Emile (TNO, Stieltjesweg 1, 2628 CK Delft, NLD) ,  MAAS Diederik J. (TNO, Stieltjesweg 1, 2628 CK Delft, NLD) ,  RAVEH Amir (Intel Israel (74) Ltd., P.O. Box 1659, Haifa 31015, ISR) ,  LIVENGOOD Richard H. (Intel Corp., 2200 Mission Coll. Blvd., Santa Clara, California 95054)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 4  ページ： 041210-041210-8  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近市販されたヘリウムイオン顕微鏡(HIM)を25kV及び低電流で使用してシリコンウエハ上のPtのヘリウムイオンビーム誘起堆積(HIBID)を調べた。動機は,回路修飾に対するHIMナノ加工の有用性を含めて,堆積速度及び構造純粋性に対する軽い不活性ヘリウムイオンの影響を理解することである。サブミクロンのPtに富んだ二つの堆積物をイオンビーム電流を変えてHIBIDにより成長させた。明視野及び暗視野TEM像を使用してピラーと基板の構造を調べた。エネルギー分散X線分析を使用してHIBID堆積物の高さ方向の金属純度プロファイルを分析した。最大のPt量は41%に達したが,これはHIBID成長させた構造で測定された最大の金属量である。Siに対するサブ表面損傷のTEM研究によると高ビーム電流で成長させた堆積物にはより多くの損傷があった。電流が異なるときのアモルファス化層の厚さの違いを議論した。GaFIBと電子ビーム堆積によるPt堆積との比較を示し,また回路修飾へのHIBID技術の使用に関する結論を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン顕微鏡法 ,  イオンビーム ,  ウエハ【IC】 ,  *白金 ,  *回路パターン形成 ,  半導体集積回路 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *イオンビーム蒸着 ,  ナノメータ加工
準シソーラス用語： *ヘリウムイオン顕微鏡 ,  ヘリウムビーム ,  シリコンウエハ ,  CMOS回路

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： He ,  イオン顕微鏡 ,  白金 ,  堆積 ,  サブ ,  シリコン ,  損傷 ,  構造評価