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J-GLOBAL ID：201202280376203638   整理番号：12A0960479

バイアス電圧で誘起された応力による磁気ナノコンタクト構造の改善,並びに,TaO_xナノ酸化物層のスピンバルブの磁気抵抗に及ぼすその改善の影響

Modification of Magnetic Nanocontact Structure by a Bias-Voltage-Induced Stress and Its Influence on Magnetoresistance Effect in TaO_x Nano-Oxide Layer Spin Valve

著者 (6件)： MIYAKE Kousaku (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAKI Yosinobu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUZUKI Ayako (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAWASAKI Shohei (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  DOI Masaaki (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  SAHASHI Masashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 1  ページ： 063002.1-063002.8  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気ナノコンタクトスピンバルブ(NCSV)を,スペーサ層としてのTaO_xナノ酸化物層(NOL)に挿入して作製した。膜面垂直通電(CPP)測定から,SVが正の磁気抵抗(MR)比を有することが明らかになった。高いバイアス電圧をSVに印加すると,NOLの微細構造が変化した。すなわち,素子の抵抗とMR比が不可逆的に変化した。高いバイアス電圧を適用したSVでは,非磁気抵抗と磁気抵抗の導電チャンネル数に比例して変化することによって,素子特性が変化した。MR比の減少は,磁気ナノコンタクトの消失に伴って起こり,正のMR効果は部分的に磁気ナノコンタクトの存在によるものであることを示唆していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電圧 ,  *素子構造 ,  *磁気抵抗 ,  電気接点 ,  スペーサ ,  *酸化タンタル ,  微細構造 ,  応力 ,  *スピンバルブ
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  磁気ナノコンタクト ,  ナノコンタクト ,  ナノ酸化物

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

引用文献 (37件)：

• 1) H. N. Fuke, S. Hashimoto, M. Takagishi, H. Iwasaki, S. Kawasaki, K. Miyake, and M. Sahashi: IEEE Trans. Magn. 43 (2007) 2848.
• 2) M. Takagishi, H. N. Fuke, S. Hashimoto, H. Iwasaki, S. Kawasaki, R. Shiozaki, and M. Sahashi: J. Appl. Phys. 105 (2009) 07B725.
• 3) K. Nagasaka, Y. Seyama, L. Varga, Y. Shimizu, and A. Tanaka: J. Appl. Phys. 89 (2001) 6943.
• 4) M. Takagishi, K. Koi, M. Yoshikawa, T. Funayama, H. Iwasaki, and M. Sahashi: IEEE Trans. Magn. 38 (2002) 2277.
• 5) H. Fukuzawa, H. Yuasa, S. Hashimoto, K. Koi, H. Iwasaki, M. Takagishi, Y. Tanaka, and M. Sahashi. IEEE Trans. Magn. 40 (2004) 2236.

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアス電圧 ,  誘起 ,  応力 ,  磁気 ,  ナノコンタクト ,  酸化物層 ,  スピンバルブ ,  磁気抵抗