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J-GLOBAL ID：201202280734567671   整理番号：12A0108024

半導体ナノワイヤデバイスの新展開

Advances in semiconductor nanowire devices.

著者 (4件)： 冨岡克広 (北大 大学院情報科学研究科) ,  冨岡克広 (JST-さきがけ) ,  福井孝志 (北大 大学院情報科学研究科) ,  福井孝志 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 81  号： 1  ページ： 59-64  発行年： 2012年01月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,ナノメートルスケールの直径を有する半導体ナノワイヤが,ナノエレクトロニクス・フォトニクス・グリーンデバイスの構成要素として注目を集めている。本稿では,有機金属気相選択成長法によるIII-V族化合物半導体ナノワイヤ成長について,シリコン基板上の集積技術を紹介し,位置・サイズ・配向制御された半導体ナノワイヤの幾何的特徴を利用したナノワイヤ発光ダイオード・縦型サラウンディングゲートトランジスタ・太陽電池応用について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  半導体集積回路 ,  OEIC ,  MOCVD ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *太陽電池 ,  エピタクシー ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス

分類 (4件)： 発光素子  (NC03082G) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (26件)：

• FURUKAWA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 41, 528
• NISHINAGA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1988, 27, L964
• AKIYAMA, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1984, 23, L843
• EGAWA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2002, 41, L663
• TOMIOKA, K. Nano Lett. 2008, 8, 3475

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体ナノワイヤ ,  展開