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J-GLOBAL ID：201202280966713887   整理番号：12A1711867

電気ストレスAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ素子の透過型電子顕微鏡キャラクタリゼーション

Transmission electron microscopy characterization of electrically stressed AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices

著者 (10件)： JOHNSON Michael R. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287) ,  CULLEN David A. (School of Materials, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287) ,  LIU Lu (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  SHENG KANG Tsung (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  REN Fan (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  CHANG Chih-yang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  PEARTON Stephen J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  JANG Soohwan (Dep. of Chemical Engineering, Dankook Univ., Yongin 448-701, KOR) ,  JOHNSON Wayne J. (Kopin Corp., Taunton, Massachusetts 02780) ,  SMITH David J. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 6  ページ： 062204-062204-7  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一組のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ素子を,ステップストレステスティングを用いて研究し,劣化無し,ソース側劣化,及びドレイン側劣化素子の代表的な試料を,電子顕微鏡及びマイクロアナリシスを用いて調べた。無ストレス参照試料も調べた。テストしたすべての試料及びそれらの対応する透過型電子顕微鏡試料は,同一ウエハから発し,したがって,名目上同一のプロセシングを受けた。ステップストレッシングを,各素子に行い,対応する電流-電圧特性を生成した。電気的性能における劣化,とくに,ゲート漏れ電流の増加は,ゲート端近くの結晶欠陥の存在と相関していることを示した。しかしながら,ドレイン側劣化素子は,ソース側に表面ピットを示し,同一素子のもう一つの領域は,損傷の痕跡を示さなかった。さらに,ゲート接触から障壁層,さらには,ゲート金属接触下の薄い非晶質酸化物層への大きな金属拡散も,無ストレス試料においても観測した。全体的に,これらの観測は,ゲート端欠陥が,素子損傷の部分的な説明しか与え無いことを強調した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  電流電圧特性 ,  劣化 ,  *漏れ電流 ,  格子欠陥 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  固体内拡散 ,  電子顕微鏡観察 ,  故障解析
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  *電圧ストレス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ストレス ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  透過型電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション