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J-GLOBAL ID:201202281003885484   整理番号:12A1147853

パワーデバイスの封止樹脂技術

著者 (1件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 374-378  発行年: 2012年08月01日 
JST資料番号: S0579C  ISSN: 1343-9677  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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近年,地球温暖化,資源の有効活用の観点から,ハイブリッド技術が注目されるようになっており,電力変換に用いるパワーエレクトロニクス技術がますます重要になっている。本稿では,このような環境問題解決の施策を支えるパワーエレクトロニクス機器向けの実装技術の1つとして,機器の信頼性,小型化を実現する上で重要な封止樹脂技術について述べた。はじめに,エポキシ系半導体用樹脂の信頼性に関して,温度負荷信頼性,絶縁信頼性について記した。つぎに,シリコーンゲル封止樹脂の信頼性に関して,振動信頼性,高温信頼性,および絶縁信頼性について述べた。最後に,次世代パワーデバイスの封止樹脂技術について記した。
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (2件):
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