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J-GLOBAL ID：201202281045112850   整理番号：12A0707168

籠状物質 フラーレンの配列・配向制御と電界効果デバイスならびにエネルギーデバイスへの応用

著者 (3件)： 久保園芳博 (Okayama Univ.) ,  後藤秀徳 (Okayama Univ.) ,  古村紀子 (Okayama Univ.)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 47  号： 5  ページ： 346-353  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フラーレンを初めとする炭素系物質は,Si MOSFETに代わる新しいエレクトロニクスデバイスへの活性層材料として注目を集めている。本稿では,フラーレンとグラフェンを対象に,配列・配向制御および電界効果デバイス,エネルギーデバイスへの応用について解説した。1)フラーレンの配列・配向制御:STMによる単一分子操作,STM探針からの局所線圧印加によるC60分子の蒸発,空間形成,文字記録,ポリマー化,ポリマーリング形成,分子性薄膜の形成過程,2)フラーレン分子の電界効果デバイスへの応用:C60薄膜電界効果トランジスタ(FET),デバイス構造,出力特性,伝達特性,3)グラフェンの電界効果デバイス:結晶構造,膜厚,移動度。

シソーラス用語： *フラーレン ,  *包接化合物 ,  炭素材 ,  グラファイト ,  制御 ,  配列 ,  固体素子 ,  利用 ,  半導体素子 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電場効果 ,  微細構造 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  フラーレンC60 ,  蒸発 ,  文字処理 ,  結晶構造 ,  膜厚 ,  移動度 ,  太陽電池 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 内包フラーレン ,  配向制御 ,  応用 ,  文字書込

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (26件)：

• FUJIKI, S. Phys. Rev. B. 2004, 69, 045415
• FUJIKI, S. Phys. Rev. B. 2004, 70, 235421
• FUJIKI, S. Chem. Phys. Lett. 2006, 420, 82
• NOUCHI, R. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 196101
• OHTA, Y. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 043107

タイトルに関連する用語 (7件)： 籠 ,  物質 ,  フラーレン ,  配向制御 ,  電界効果デバイス ,  エネルギーデバイス ,  応用