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J-GLOBAL ID：200902224823232222   整理番号：09A0125729

走査型トンネル顕微鏡チップを通じた局所電場によるC₇₀の最密充填表面および単分子ボイド形成

C₇₀ close-packed surfaces and single molecule void-formation by local electric field through a scanning tunneling microscope tip

著者 (6件)： OHTA Yohei (Res. Lab. for Surface Sci., Okayama Univ., Okayama 700-8530, JPN) ,  MITSUHASHI Ryoji (Res. Lab. for Surface Sci., Okayama Univ., Okayama 700-8530, JPN) ,  NOUCHI Ryo (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  FUJIWARA Akihiko (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa 923-1192, JPN) ,  HINO Shojun (Dep. of Materials Sci. and Biotechnology, Ehime Univ., Matsuyama 790-8577, JPN) ,  KUBOZONO Yoshihiro (Res. Lab. for Surface Sci., Okayama Univ., Okayama 700-8530, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 4  ページ： 043107  発行年： 2009年01月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C₇₀分子で覆われたシリコン表面を加熱してC₇₀の最密充填表面を作製した。最密充填表面は高温六方晶最密充填相であると同定された。最密充填表面に局所電場を加えることで,C₇₀最密充填表面の安定性およびナノ構造形成を調べた。走査型トンネル顕微鏡チップからC₇₀最密充填表面へ局所電場を加えると分子スケールの蒸発が生じた。表面の歪付近へ局所電場を加えると20個以上のC₇₀分子の蒸発が起こり,非常に大きなボイドが形成された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フラーレンC70 ,  ケイ素 ,  *被覆 ,  *結晶構造 ,  充填 ,  六方晶系 ,  安定性 ,  ナノ構造 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *電場効果 ,  蒸発 ,  *空孔欠陥
準シソーラス用語： *最密充填

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型トンネル顕微鏡チップ ,  局所電場 ,  C70 ,  最密充填 ,  単分子 ,  ボイド