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J-GLOBAL ID：201202281593127407   整理番号：12A1101671

高温で蒸発したKOHを用いた4H-SiCの(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)炭素面からの転位表出

Dislocation Revelation from (000<span style=text-decoration:overline>1</span>) Carbon-face of 4H-SiC by Using Vaporized KOH at High Temperature

著者 (7件)： YAO Yong-Zhao (Japan Fine Ceramics Center (JFCC), Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Yukari (Japan Fine Ceramics Center (JFCC), Nagoya, JPN) ,  SATO Koji (Japan Fine Ceramics Center (JFCC), Nagoya, JPN) ,  SUGAWARA Yoshihiro (Japan Fine Ceramics Center (JFCC), Nagoya, JPN) ,  DANNO Katsunori (Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN) ,  SUZUKI Hiroshi (Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN) ,  BESSHO Takeshi (Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 7  ページ： 075601.1-075601.3  発行年： 2012年07月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCのC面から様々な型の転位を明らかにするために,蒸発したKOHを用いた新しいエッチング技術を提案した。4H-SiC中に一般に見られる三種類の転位型に起因する三種類のピット幾何構造を観測した。Si面とC面上のピット位置を比較し,試料厚みを横断する転位伝搬挙動を調べた。活性化エネルギー49kcal/molが得られ,表面反応が支配的な過程を示唆した。エッチング技術はC面エピタキシャル及び塊状4H-SiCの転位分布をインチスケールで写像する効果的で安価な方法を提供した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 水酸化カリウム ,  *転位【結晶】 ,  活性化エネルギー ,  表面反応 ,  *エッチング ,  炭素 ,  ケイ素 ,  半導体材料 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (17件)：

• ZHUANG, D. Mater. Sci. Eng. R. 2005, 48, 1
• HATAYAMA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L690
• KATSUNO, M. Mater. Sci. Forum. 1998, 264-268, 837
• YAKIMOVA, R. Diamond Relat. Mater. 1997, 6, 1456
• GOTOH, M. MRS Proc. 2006, 911

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸発 ,  KOH ,  4H-SiC ,  炭素 ,  転位 ,  表出