文献

J-GLOBAL ID：200902235148469821   整理番号：06A0624358

塩素と酸素系で熱的にエッチした4H-SiC{0001}エピ層の結晶度の評価

Evaluation of Crystallinity in 4H-SiC{0001} Epilayers Thermally Etched by Chlorine and Oxygen System

著者 (4件)： HATAYAMA Tomoaki (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  YANO Hiroshi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 24-28  ページ： L690-L693  発行年： 2006年07月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 塩素と酸素の混合ガスによる熱エッチングを,初めて4H-SiC...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： ヒロック ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0624358&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• MATSUNAMI, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 6835
• KIMOTO, T. IEEE Trans. Electron Devices. 1999, 46, 471
• DAS, M. K. Mater. Sci. Forum. 2005, 483-485, 965
• NAKAMURA, D. Nature. 2004, 430, 1009
• TAKAHASHI, J. J. Cryst. Growth. 1994, 135, 61

タイトルに関連する用語 (7件)： 塩素 ,  酸素 ,  エッチ ,  4H-SiC ,  エピ層 ,  結晶度 ,  評価