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J-GLOBAL ID：201202281660572623   整理番号：12A1603112

InAs/GaSb超格子中の電気輸送: 表面状態と界面粗さの役割

Electrical transport in InAs/GaSb superlattice: role of surface states and interface roughness

著者 (8件)： RAO T V Chandrasekhar (Bhabha Atomic Res. Centre, Mumbai, IND) ,  NAIR Selvakumar V (Univ. Toronto, Ontario, CAN) ,  RUDA Harry E (Univ. Toronto, Ontario, CAN) ,  ANTOSZEWSKI J (Univ. Western Australia, WA, AUS) ,  RODRIGUEZ J B (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  PLIS E (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  KRISHNA S (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  FARAONE L (Univ. Western Australia, WA, AUS)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 10  ページ： 105025,1-7  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子レベルの経験的擬ポテンシャル法に基づくバンド構造計算と移動度推定を用いて,InAs/GaSb超格子の電気的性質をモデル化した。定量的移動度スペクトル解析技術を用いて超格子試料で得た実験結果とモデルは定量的に一致した。この系の面内電気輸送に影響する因子は低温領域と高温領域で異なり,これは伝導領域の位置に主に起因した。両領域の電子移動度を制限する主要な散乱機構を同定し,界面粗さが高温領域で重要な役割をすることを示した。

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  アンチモン化ガリウム ,  半導体材料 ,  *化合物半導体 ,  表面粗さ ,  界面 ,  *エレクトロトランスポート ,  *超格子 ,  擬ポテンシャル法 ,  バンド構造 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 界面粗さ

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  電気輸送 ,  界面粗さ ,  役割