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J-GLOBAL ID：201202281909444272   整理番号：12A0138211

3Dインテグレーションのための酸化物へのBCBボンディング技術

BCB-to-oxide bonding technology for 3D integration

著者 (4件)： LIN S.l. (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  HUANG W.c. (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  KO C.t. (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHEN K.n. (Dep. of Electronics Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 2  ページ： 352-355  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン酸化物へのBCB高分子ボンディングのプロセス最適化を研究した。適切なボンディング温度は約300°Cであるが,酸化物に対するBCBのボンド故障が400°Cから始まることを観察する。酸化物に対するBCBボンディングの結合界面形態とボンディング強度も同様に研究した。BCBに対するPECVD酸化物ボンディングは,BCBに対する熱酸化物のボンディング特性よりもすぐれたボンディング特性を持つ。Si-O-Siボンドが酸化物に対する強いBCBボンディングの理由であると考える。水分子が最初の接触の間にBCBと酸化物表面を結びつけるが,Si-O-Si結合はボンディングの間に形成する。酸化物へのBCBボンディングについてここに提案したメカニズムは,3Dインテグレーションにおける酸化物に対する高分子のハイブリッドボンディング技術に指針を与える。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ボンディング【IC】 ,  集積回路 ,  三次元 ,  酸化物 ,  最適化 ,  プロセス制御 ,  接着剤 ,  *熱硬化性プラスチック ,  プラズマCVD ,  *接着強さ
準シソーラス用語： プロセス最適化 ,  三次元集積回路

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ベンゾシクロブテン

タイトルに関連する用語 (4件)： 3D ,  インテグレーション ,  酸化物 ,  ボンディング