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J-GLOBAL ID：201202282315760332   整理番号：12A1187598

抵抗RAMのための酸化アルミニウム中の酸素空格子点により生じた伝導バンド

Conduction band caused by oxygen vacancies in aluminum oxide for resistance random access memory

著者 (7件)： NIGO Seisuke (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  KUBOTA Masato (Japan Atomic Energy Agency, 2-4 Shirane Shirakata, Tokai-mura, Ibaraki 319-1195, JPN) ,  HARADA Yoshitomo (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  HIRAYAMA Taisei (Rigaku Corp., 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima, Tokyo 196-8666, JPN) ,  KATO Seiichi (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  KITAZAWA Hideaki (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  KIDO Giyuu (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 3  ページ： 033711-033711-6  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代メモリとして希金属を含まないメモリを開発し,高密度の酸素空格子点を持つ酸化アルミニウムを使用した。第一原理計算を用いて電子構造のシミュレーションを実施した。この論文ではバンドギャップの電子構造を報告するが,それは熱刺激電流測定を用いて解析したもので,シミュレーションの結果を評価する。抵抗変化に対応した電子状態を初めて観測した。この結果は,V_o⁺²(電子が欠けたV_o)がV_o⁺¹に電子注入により変わることを示した。重なったV_o⁺¹電子は「V_o伝導バンド」(V_oCB)に変わり,変化した構造はV_oの周辺のAlイオンの構造緩和で安定化する。V_oCBは一種のバンド間不純物バンドと考えられる。オンオフスイッチングの原因は,V_o電子数の増大/減少により生じたV_oCBの発生/消滅と考えた。電子構造の知識に基づき,金属/絶縁体/金属構造を金属/絶縁体/半導体構造に変え,リセット電流を7μAまで減らした。酸アルミニウムのV_osは電子記憶貯蔵に有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *酸化アルミニウム ,  *空格子点 ,  *伝導バンド ,  第一原理 ,  電子構造 ,  シミュレーション ,  *バンドギャップ ,  熱刺激電流 ,  キャリア注入 ,  構造緩和 ,  スイッチング ,  電流 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： リセット電流 ,  *酸素空格子点 ,  *不純物バンド

分類 (3件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： RAM ,  酸化アルミニウム ,  酸素空格子点 ,  伝導バンド