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J-GLOBAL ID：201202282766089162   整理番号：12A0706158

革新的な直接電流電流-電圧技術によるシャロートレンチアイソレーションを基にした高電圧横方向拡散金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるホットキャリアの研究

Investigation of Hot Carrier Degradation in Shallow-Trench-Isolation-Based High-Voltage Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by a Novel Direct Current Current-Voltage Technique

著者 (2件)： HE Yandong (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHANG Ganggang (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 2  ページ： 04DP08.1-04DP08.4  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シャロートレンチアイソレーションを基にした高電圧横方向拡散金属-酸化物-半導体(LDMOS)デバイスは,破壊電圧とオン抵抗その優れたトレードオフおよび標準的な金属-酸化物-半導体(CMOS)プロセスとの互換性により一般的になってきた。多重の鋭いピーク信号によって実証される革新的な直接電流電流-電圧(DCIV)技術をチャネルおよびSTIドリフト領域における界面準位の発生を分離して評価するために提案する。様々なホットキャリアストレスモードにおけるSTI主体のLDMOSトランジスタの劣化を,提案した技術により実験的に研究する。2次元数値デバイスシミュレーションをホットキャリアストレス条件で提案した技術に対する洞察とデバイス劣化特性をえるために行う。デバイスの電気特性に対する界面準位位置の影響を測定とシミュレーションにより解析する。これらの結果は最大I_subストレスはオン抵抗劣化の項で最も悪いホットキャリア劣化モードになる。それはSTIドリフト領域での界面準位発生に起因している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  半導体素子 ,  *アイソレーション【IC】 ,  高電圧 ,  *ホットキャリア ,  電流電圧特性 ,  表面準位 ,  劣化 ,  シミュレーション ,  ドリフト ,  チャネル
準シソーラス用語： *LDMOSFET ,  *シャロートレンチアイソレーション ,  ホットキャリア劣化 ,  横方向拡散MOS ,  性能劣化 ,  直接電流電流-電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• 1) S. Whiston, D. Bain, A. Deignan, J. Pollard, C. N. Chleirigh, and C. M. M. O'Neill: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2000, p. 51.
• 2) M. Zitouni, F. Morancho, H. Tranduc, P. Rossel, J. Buxo, I. Pages, and S. Merchant: Microelectron. J. 30 (1999) 551.
• 3) S. Yanagi, H. Kimura, T. Nitta, T. Kuroi, K. Hatasako, S. Megawa, K. Onishi, and Y. Otsu: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2009, p. 80.
• 4) D. Brisbin, A. Strachan, and P. Chaparala: Proc. Int. Reliability Physics Symp., 2002, p. 105.
• 5) P. Moens, G. Van den bosch, C. De Keukeleire, R. Degraeve, M. Tack, and G. Groeseneken: IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) 1704.

タイトルに関連する用語 (8件)： シャロートレンチアイソレーション ,  高電圧 ,  横方向 ,  拡散 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  ホットキャリア ,  研究