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J-GLOBAL ID：201202283384858251   整理番号：12A0249984

電子ドープマンガナイトの歪媒介相制御および電解質ゲート動作

Strain-Mediated Phase Control and Electrolyte-Gating of Electron-Doped Manganites

著者 (16件)： XIANG Ping-Hua (National Inst. of Advanced Industrial, Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  XIANG Ping-Hua (JST-CREST, Kawaguchi, JPN) ,  ASANUMA Shutaro (National Inst. of Advanced Industrial, Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  ASANUMA Shutaro (JST-CREST, Kawaguchi, JPN) ,  YAMADA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial, Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  INOUE Isao H. (National Inst. of Advanced Industrial, Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  SATO Hiroshi (National Inst. of Advanced Industrial, Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  AKOH Hiroshi (National Inst. of Advanced Industrial, Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  AKOH Hiroshi (JST-CREST, Kawaguchi, JPN) ,  SAWA Akihito (National Inst. of Advanced Industrial, Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  UENO Kazunori (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  UENO Kazunori (JST-PRESTO, Kawaguchi, JPN) ,  YUAN Hongtao (RIKEN, Wako, JPN) ,  SHIMOTANI Hidekazu (RIKEN, Wako, JPN) ,  KAWASAKI Masashi (RIKEN, Wako, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (RIKEN, Wako, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 23  号： 48  ページ： 5822-5827  発行年： 2011年12月22日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着法を用いてYAlO₃(YAO),NdAlO₃(NAO)およびLaSrAlO₄(LSAO)基板上に電子ドープマンガナイトCa_1-xCe_xMnO₃(CCMO)薄膜を作製し,Ce濃度と基板誘起歪との関係を調べた。YAO,NAOおよびLSAO基板上にCaMnO₃(CMO)をゲート半導体,イオン液体をゲート絶縁体とする電気二重層電界効果トランジスタを作製し,CMOの基板誘起歪による大きな伝導率変化(50Kで1200倍,室温で4倍)を明らかにした。

シソーラス用語： カルシウム化合物 ,  マンガン化合物 ,  酸化物 ,  セリウム化合物 ,  ドーピング ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  イオン液体 ,  *エピタクシー ,  *格子歪 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長 ,  電気二重層トランジスタ

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  歪 ,  電解質 ,  ゲート