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J-GLOBAL ID：201202283896871373   整理番号：12A1306321

水素シルセスキオキサンを用いたトップゲートエピタキシャルグラフェンナノリボンFETの作製

Fabrication of top-gated epitaxial graphene nanoribbon FETs using hydrogen-silsesquioxane

著者 (10件)： HWANG Wan Sik (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556) ,  TAHY Kristof (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556) ,  NYAKITI Luke O. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375) ,  WHEELER Virginia D. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375) ,  MYERS-WARD Rachael. L. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375) ,  EDDY C. R. (U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375) ,  GASKILL D. Kurt (U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375) ,  (GRACE) XING Huili (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556) ,  SEABAUGH Alan (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556) ,  JENA Debdeep (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 3  ページ： 03D104-03D104-4  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルグラフェン基板上にトップゲートエピタキシャルグラフェンナノリボン(EGNR)電界効果トランジスタ(FET)を作製し,バンドギャップの大幅な開きを実証した。水素シルセスキオキサン(HSQ)を10nmサイズ線幅のパターニングと高k誘電体酸化アルミニウム(Al₂O₃)の原子層堆積(ALD)のためのシード層に用いた。パターニングの解像度は現像温度,電子ビームドーズ量,基板材料などに影響されることを見出した。HSQの選択されたゲートスタックとそれに続くAl₂O₃ ALDは安定なデバイス性能を許容し,EGNR-FETの実証を可能にした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *有機ケイ素化合物 ,  素子構造 ,  エピタクシー ,  *炭素材 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  *FET【トランジスタ】 ,  バンドギャップ ,  パターン形成 ,  誘電体 ,  アルミナ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *水素シルセスキオキサン ,  トップゲート ,  ナノリボン ,  高k誘電体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素シルセスキオキサン ,  FET ,  作製