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J-GLOBAL ID：201202284684742243   整理番号：12A0706130

Poly(p-silsesquioxane)絶縁層を用いた6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl) Pentacene有機電界効果トランジスタ

6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl) Pentacene Organic Field-Effect Transistors Utilizing Poly(p-silsesquioxane) Insulating Layers with Various Ratios of Phenol Groups

著者 (4件)： NAKANISHI Yuta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAJII Hirotake (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAMURA Koki (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  OHMORI Yutaka (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 2  ページ： 04DK03.1-04DK03.5  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子構造のサイドチェーン中で水酸基がフェニル環に結合した,いろいろな比率のフェノール基を含むポリマー・ゲート絶縁体の水酸基の,poly(p-silsesquioxane)(PSQ)誘導体を使ったp型6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene(TIPS-pentacene)に基づく有機電界効果トランジスタ(OFETs)特性への効果を研究した。いろいろなPSQ絶縁体付きの全てのトップ接触ボトム・ゲート・タイプOFETsの正孔移動度を0.1cm² V^-1s^-1の次元であると推定した。OFETの電流オン/オフ比率は,水酸基の比率を減少させると増加した。低い比率のフェノール基を含む光架橋PSQ絶縁体付きのボトム接触デバイスは,0.1cm² V^-1s^-1の高い電界-効果移動度と,出力と伝達特性でのごくわずかなヒステリシスのp-チャンネルFET特性を示した。10Vの動作電圧で駆動したOFETを厚さ120-nm-の薄い光架橋PSQ絶縁体を用いて達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  絶縁材料 ,  フェノール類 ,  ゲート【半導体】 ,  特性 ,  正孔 ,  移動度 ,  架橋【高分子】 ,  絶縁体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (24件)：

• 1) K. Kudo, D. X. Wang, M. Iizuka, S. Kuniyoshi, and K. Tanaka: Synth. Met. 111-112 (2000) 11.
• 2) H. Sirringhaus, T. Kawase, R. H. Friend, T. Shimoda, M. Inbasekaran, W. Wu, and E. P. Woo: Science 290 (2000) 2123.
• 3) K. Kaneto, W. Y. Lim, W. Takashima, T. Endo, and M. Rikukawa: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L872.
• 4) M. Ando, M. Kawasaki, S. Imazeki, H. Sasaki, and T. Kamata: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 1849.
• 5) H. Kawaguchi, T. Someya, T. Sekitani, and T. Sakurai: IEEE J. Solid-State Circuits 40 (2005) 177.

タイトルに関連する用語 (2件)： 絶縁層 ,  有機電界効果トランジスタ